Словарь терминов физики полупроводников

# А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ы Э Ю Я


А

Адатом — атом на поверхности кристалла.

Адиабатичекое приближение — приближение теории твёрдых тел, при котором движение остовов ионов кристаллической решётки рассматривается в качестве возмущения. См. фононы.

Акцептор — примесь в полупроводниковом материале, которая захватывает свободный электрон.

Б

Безизлучательная рекомбнация — рекомбинация без испускания фотонов. Протекает в основном благодаря фононам.

В

Валентная зона — зона валентных электронов, при нулевой температуре в собственном полупроводнике полностью заполнена.

Вольт-амперная характеристика — зависимость напряжения от тока. Основная характеристика для любого полупроводникового прибора.

Г

Галлий — элемент пятой группы периодической системы элементов.

Д

Двумерный электронный газ — электронный газ, который находится в потенциальной яме, ограничивающей движение по одной из координат.

Дефекты кристалла — любое нарушение периодичности кристалла.

Дивакансия — конгломерат дефектов кристалла, состоящий из двух вакансий.

Диод — полупроводниковый прибор на p-n переходе, пропускающий ток только в одном направлении.

Дислокация — линейный дефект в кристалле.

Дислокация несоответствия — один из типов линейных дефектов в кристалле, когда дополнительная полуплоскость вставлена в кристаллическую решётку.

Дырка — квазичастица в твёрдом теле с положительным зарядом, равным по асолютному значению заряду электрона.

Дырочная проводимость — в полупроводнике с p-типом проводимости основные носители заряда дают основной вклад в проводимость.

Дырочный полупроводник — полупроводник с p-типом проводимостью, основные носители тока — дырки.

З

Закон дисперсии — связь энергии с волновым вектором. В полупроводнике с параболическим законом дисперсии эффективная масса не зависит от энергии.

Затвор — электрод в полевом транзисторе, для управления током через него.

Зона — термин зонной теории обозначающий область разрешённых значений энергии, которые могут принимать электроны или дырки.

Зонная теория твёрдых тел — одноэлектронная теория для периодического потенциала, объясняющая многие электрофизические свойства полупроводников. Использует адиабатичекое приближение.

И

Излучательная рекомбинация — рекомбинация с испусканием одного или нескольких фотонов, при гибели электрон-дырочной пары; источник излучения в светодиодах и лазерных диодах.

Исток — термин обозначающий один из контактов в полевом транзисторе.

К

Кристалл — идеализированная модель твёрдого тела с трансляционной симметрией.

Кремний — полупроводник, основной элемент полупроводниковой промышленности.

Л

Люминесценция — свечение твёрдых под воздействием излучения потока заряженных частиц и др.

М

Н

О

Оптические переходы — переходы электрона в твёрдом теле между состояниями с различной энергиями с испусканием или поглощением света.

Основные носители — в полупроводниках в зависимости от типа легирования играют роль электроны (n-тип) или дырки (p-тип).

П

Параболический закон дисперсии — у полупроводников с параболическим законом дисперсии можно ввести массу, которая отличается о массы покоя электрона. Частица в этом случае, движущаяся в кристаллическом потенциале не замечает его и ведёт себя как свободная частица.

Примеси — инородные атомы в чистом материале.

Примесная зона — зона, которая образуется при сильном легировании полупроводника, когда волновые функции электронов соседних примесей перекрываются.

Р

Рекомбинация — гибель пары электрон-дырка.

С

Сток — один из контактов в полевом транзисторе.

Т

Точечные дефекты или нульмерные дефекты — дефекты кристалла при которых периодичность потенциала нарушается только локально.

У

Уровень Ферми — энергетический уровень, который при абсолютном нуле температур разделяет полностью заполненные квантовые состояния от полностью незанятых состояний.

Ф

Фотопроводимость — проводимость полупроводника при воздействии света. Даёт информацию о дефектах в полупроводниках.

Х

Ц

Ш

Э

Экситон — квазичастица в твёрдом теле, связанное состояние электрона и дырки. Обладает ограниченным временем жизни.

Электрон — квазичастица в твёрдом теле с зарядом электрона, но с отличной массой.

Электронный полупроводник — полупроводник с n-типом проводимости, где основные носители — электроны.

Эффект Холла — возникновение разности напряжений на краях образца при помещении его во внешнее магнитное поле.

Эффект Шубникова — де Гааза — осцилляции магнетосопротивления периодичные по обратному магнитному полю.

Эффективная масса — перенормированная масса электрона в кристаллической решётке. Применим к полупроводникам с параболическим законом дисперсии. Для различных разрешённых зон эффективная масса квазичастиц различается, поэтому появляются тяжёлые и лёгкие дырки. В общем случае нужно масса зависит от направления в кристалле и говорят о тензоре эффективной массы.

 
Начальная страница  » 
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ы Э Ю Я
A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Home