Параметры зонной структуры GaAs

В таблице представлены некоторые параметры зонной структуры для арсенида галлия.

Параметры зонной структуры GaAs
Параметр Обозначение Значение
Постоянная решётки ac (нм) 0,565325+0,388·10−5(T−300)
Ширина запрещённой зоны в Г-долине EgГ (эВ) 1,519
Варшни параметр α(Г) α (Г) (мэВ/К) 0,5405
Варшни параметр β(Г) β(Г) (К) 204
Ширина запрещённой зоны в X-долине EgX (эВ) 1,981
Варшни параметр α(X) α(X) (мэВ/К) 0,460
Варшни параметр β(X) β(X) (К) 204
Ширина запрещённой зоны в L-долине EgL (эВ) 1,815
Варшни параметр α(L) α(L) (мэВ/К) 0,605
Варшни параметр β(L) β(L) (К) 204
Спин-орбитальное ращепление Δso 0,341
Эффективная масса электрона в Г-долине me*(Г) 0,067
Продольная эффективная масса
электрона в L-долине
ml*(L) 1,9
Поперечная эффективная масса
электрона в L-долине
mt*(L) 0,0754
Продольная эффективная масса
электрона в X-долине
ml*(X) 1,3
Поперечная эффективная масса
электрона в X-долине
mt*(X) 0,23
Латтинджера параметры \!\gamma1 6,98
\!\gamma2 2,06
\!\gamma3 2,93
Упругие константы c11(ГПа) 1221
c12(ГПа) 566
c44(ГПа) 600
 
Начальная страница  » 
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ы Э Ю Я
A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Home